众所周知，如今硅基芯片已确定进入5nm时代，甚至即将步入3nm时代，但是想要进入1nm时代，硅基芯片将会逼近极限，这就从另一方面代表着，硅基芯片无法接着使用，必须寻找比硅基芯片更加优越的替代品。

  近期，中国科学院院士郭光灿在2021集成光子大会中精确指出，海量信息感知、传输、计算处理也在速度和能耗方面对电子信息技术提出了更高的要求。但是，由于尺寸减小，量子效应影响加剧，硅基芯片已经逼近极限，亟待寻找更加优质的替代品。

  这也就从另一方面代表着，谁掌控了新的替代品，那谁就是未来芯片的领航者。新的材料必然会是半导体市场的香饽饽，人见人爱啊。只要中国先人一步掌控这种新材料的研制方法，那么中国半导体行业必将迎来一个前所未有的发展机遇。

  硅基芯片在达到3nm制程工艺之后，就已经逼近极限，想要更进一步，无疑是难于上青天。所以寻找新的材料，就成了芯片行业的重中之重，这是关系未来的发展，不能有丝毫的懈怠。

  国外虽然未有发现新的替代品材料，但是在中国不断有好消息传来，这个实在是令人发自内心的激动和欢呼，这说明中国比外国先一步找到比较合适的替代品材料，未来就有可能比国外提前进入1nm时代。

  不久之前，中科院研发出了石墨烯芯片，有很大概率成为硅基芯片的代替品，但是技术尚未成熟，无法量产实现商用目的。虽说稍有遗憾，但也是一个值得兴奋的好消息。

  随后不久，中企英诺赛科半导体有限公司传来好消息，该公司已实现技术上的重大突破，在可替代材料”硅基氮化镓“上已完成了量产，甚至还建立了生产线英寸的硅基氮化镓晶圆。在生产线完成建设后，可以在一定程度上完成年产78万片。

  据可靠消息称，这是全球第一座“氮化镓芯片”生产基地，而且中国企业已经掌握了相当成熟的技术，这无疑给中国企业打了一剂。

  饱受西方制裁的华为，为摆脱困境，已经正式进军全新的芯片技术领域，以此实现弯道超车，不再轻易被西方卡脖子。

  华为在2019年被西方制裁后，芯片紧缺，从那以后，任正非就下定决心，华为必须自主造芯，绝不能再次被动的挨打。

  去年12月份华为在武汉首座光子芯片厂已经正式封顶了，而且各项基础设施已经筹备完善，相关的制造设备也是一应俱全，只待组装完毕。

  早在三年之前，华为就提前部署了相应的战略决策。华为当时已经决定与英国的剑桥大学合作，然后在英国建立光电子芯片研发中心和制造中心。华为决心利用剑桥汇聚全球高品质人才的优势，为华为的战略目标服务。

  而且该场地今后将会成为华为光电子业务的全球总部，利用得天独厚的优势，加快光电子芯片的研发，从而迈入实现自主造芯，不再受制于人的新时代。

  华为提前布局，眼光之深远，由此可见一斑。毕竟在芯片领域，中国企业不得不由衷地承认，比起西方国家来说，的确是有着不小的差距，需要一些时间去缩小差距。即使是我国最先进的中芯国际，目前也只能生产14nm制程的芯片，而国外已经到了5nm,3nm,距离1nm也只是时间问题。

  倘若我国继续按部就班地追赶，那真的是要耗费相当长的时间，而且在我们追赶的同时，西方国家也同样在进步。所以，不能够按常理出牌，唯有出其不意，另辟蹊径，方能实现弯道超车。

  于是，布局光电子芯片是必然的选择，也是正确的选择。对此，诸位是怎么样看待的呢？欢迎诸位在评论区发表自己的看法。

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